La frontiera della applicazioni laser ad impulsi ultracorti si situa attualmente sui laser a Femtosecondi, che permettono lavorazioni "fredde" anche sui materiali più sensibili. La soglia che delimita la transizione tra processi con con una componente termica residua e quelli in cui il danno è assente si situa tra 1 e 50 picosecondi, in dipendenza dai materiali trattati. Durate di impulso inferiori a 400 femtosecondi e differenti lunghezze d'onda disponibili garantiscono quindi che i processi, indipendentemente dal materiale lavorato, siano netti e senza danno.

In order to remove parasitic emitter diffusion around wafer edges of Solar Cells, laser technology is gaining more and more interest. The technique is fast, suitable for inline process, and contactless for safe handling of thin solar cell wafers. We have developed a very efficient process that makes use of high power, high quality single mode laser emitting at 355 nm, resulting in a process as fast as 1.5 s/cell, with isolation efficiency as high as 99% (as mesured by LBIC technque).

Questa famiglia di assi è disponibile in versione a centro aperto o chiuso da 50 millimetri a 450mm di corsa. La ripetibilità assiale standard bidirezionale è inferiore a 50 nanometri con optional di ripetibilità bidirezionale a 10 nanometri per le necessità più esigenti di metrologia. Gli assi possono essere forniti con certificazione NIST garantendo una reale precisione nanometrica.